반응형 sic (silicon carbide) - 차세대 전력반도체의 핵심1 반응형 HVDC용 전력반도체 – IGBT, SiC, IGCT의 기술 비교 목차1. HVDC 시스템과 전력반도체의 관계 2. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - 범용성과 안정성3. SiC (Silicon Carbide) - 차세대 전력반도체의 핵심4. IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) - LCC 기반 시스템의 핵심5. 기술 비교 요약6. 산업 및 시장 영향 분석 1. HVDC 시스템과 전력반도체의 관계HVDC(High Voltage Direct Current) 시스템은 전기를 초고압 직류로 변환하여 장거리 전송한 뒤, 다시 교류로 변환해 사용하는 방식입니다.이러한 변환 과정을 가능하게 해주는 핵심 구성 요소가 바로 전력반도체(Power Semiconductor)입니다. HVDC 컨버터(Con.. 2025. 8. 17. 이전 1 다음
