반응형 한계① - tsv와 스택 높이에 따른 생산 수율 저하1 반응형 HBM5 개발의 징검다리, HBM4의 기술적 한계와 극복 전략 목차1. HBM4가 HBM5로 진화하기 위한 전제 조건 2. 한계① – TSV와 스택 높이에 따른 생산 수율 저하3. 한계② – 신호 무결성(SI)과 테스트 복잡도4. 한계③ – 열 밀도와 패키지 발열 제어5. 한계④ – 비용 문제와 시장 보급 확대의 어려움6. HBM5로의 자연스러운 전이 전략7. 핵심 요약 – HBM4 극복 전략 표 1. HBM4가 HBM5로 진화하기 위한 전제 조건차세대 고대역폭 메모리인 HBM5 개발은 HBM4 기술의 완성도를 기반으로 해야 한다.HBM4는 단순한 업그레이드가 아니라, 2배 늘어난 인터페이스(2048bit)와 심화된 TSV 적층(최대 16단) 등 과거 기술의 한계를 깨는 요소들을 포함하고 있다. 따라서 HBM5의 개발은 HBM4에서 발생한 설계·제조·패키징·신호·열.. 2025. 8. 10. 이전 1 다음
