반응형 실리콘 인터포저와 hbm4의 연결 구조1 반응형 HBM4 메모리의 패키징 기술 – 3D 스택과 TSV 구조 분석 목차1. 왜 패키징 기술이 HBM4에서 중요한가? 2. HBM4의 3D 스택 구조 – 고밀도 적층 기술의 집약체3. TSV(Through Silicon Via)의 원리와 역할4. 실리콘 인터포저와 HBM4의 연결 구조5. HBM4 패키징에서의 설계 기술 포인트6. 생산 공정과 양산 시 도전 과제7. 글로벌 기업들의 패키징 기술 전략 1. 왜 패키징 기술이 HBM4에서 중요한가?차세대 메모리 기술인 HBM4(High Bandwidth Memory Gen 4)는 단순한 DRAM의 진화가 아니다.HBM4는 압도적인 대역폭(최대 1.2TB/s)과 저전력 구조, 3D 수직 적층 구조를 통해 AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 클라우드 서버 등에서 병목 없는 연산 환경을 제공한다.하지만 HBM4의 성능이 제대로 구현되.. 2025. 8. 13. 이전 1 다음
