반응형 반도체패키징3 반응형 칩렛 아키텍처와 HBM5 통합 기술 이해 목차칩렛과 HBM5가 동시에 등장한 배경단일 대형 칩 구조가 한계에 도달한 이유HBM5가 요구하는 연결 방식의 변화칩렛 내부에서 메모리가 배치되는 실제 모습데이터 이동 흐름이 바뀌며 생기는 차이전력과 열 문제를 다루는 현실적인 접근설계 현장을 따라가며 보는 통합 과정반복적으로 등장하는 판단 포인트이 조합을 어떻게 받아들여야 하는가 서론고성능 연산이 필요한 환경에서 더 이상 하나의 칩으로 모든 것을 해결하려는 접근은 설득력을 잃었다. 연산량은 기하급수적으로 늘어나는데, 공정 미세화만으로 성능을 끌어올리기에는 비용과 리스크가 너무 커졌기 때문이다. 이 지점에서 칩렛 아키텍처가 등장했고, 동시에 메모리 쪽에서는 HBM5처럼 훨씬 더 높은 대역폭과 용량을 전제로 한 기술이 요구되기 시작했다. 두 기술은 각자 .. 2025. 12. 23. HBM5 메모리 확장 모듈 설계 핵심 요소 목차HBM5 확장 모듈이 주목받는 배경확장 모듈 설계에서 가장 먼저 고려되는 조건대역폭 확장을 좌우하는 인터페이스 구조적층 수 증가와 전력·열 균형 문제패키징 방식이 확장성에 미치는 영향확장 모듈 적용 시 자주 마주치는 설계 질문기존 HBM 구성 대비 확장 모듈의 차별점시스템 관점에서 본 설계 방향과 선택 기준 서론AI 모델과 고성능 연산 워크로드가 빠르게 커지면서 메모리 용량과 대역폭을 동시에 늘리는 방식이 필수가 됐다. HBM5는 단일 스택 성능 자체도 크게 향상됐지만, 최근에는 여러 HBM 스택을 보다 유연하게 확장하는 모듈 설계가 중요한 화두로 떠오르고 있다. 단순히 메모리를 더 붙이는 문제가 아니라, 신호 무결성·전력·열·패키징 구조가 동시에 맞물리면서 설계 난이도가 급격히 높아졌기 때문이다... 2025. 12. 20. HBM 구조의 비밀: TSV와 인터포저 기반 3D 적층 아키텍처 분석 HBM 구조의 비밀: TSV와 인터포저 기반 3D 적층 아키텍처 분석목차1. HBM의 기본 구조 개요2. TSV(Through-Silicon Via)의 기술 원리3. 인터포저(Interposer)의 역할4. 3D 적층 제조 공정의 난이도5. 발열과 신뢰성 관리6. TSV와 인터포저 기술의 시장 확산7. 차세대 HBM 구조와 기술 진화8. 투자 관점의 시사점 서론고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory, HBM)는 AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 데이터센터 시장의 핵심 부품으로 자리 잡았습니다.특히 **TSV(Through-Silicon Via)**와 인터포저(Interposer) 기반의 3D 적층 구조는 메모리 대역폭과 효율을 혁신적으로 끌어올린 기술적 토대입니다. 본 글에서는 HBM 구.. 2025. 8. 20. 이전 1 다음
