반응형 ai 시대 메모리 혁신의 출발점1 반응형 HBM 스택 구조와 TSV 기술 – AI 메모리 혁신의 실체 목차1. AI 시대 메모리 혁신의 출발점 2. HBM 스택 구조 – 메모리 위에 메모리를 적층 하다3. TSV 기술 – 수직 연결 혁신의 핵심4. Base Die – 집적 제어의 지능적 핵심5. 인터포저와 패키징 – 병렬 구조의 튼튼한 무대6. 병렬 처리와 대역폭 – 숫자가 곧 성능7. 신호 정합과 지터 제어 – 병렬 구조의 정밀 설계8. 열 해소와 전력 전략 – 병렬 구조의 안정 기반9. 신뢰성과 자동화 – 대규모 병렬 구조를 지키는 감시자10. 확장성 – HBM4에서 HBM5, PIM, CXL까지 진화11. 실제 적용 사례 – 병렬 구조의 힘12. ROI – 병렬 구조가 가져온 가치 1. AI 시대 메모리 혁신의 출발점AI 처리량이 폭증하며 메모리 병목 현상이 시스템 전체 성능을 제한하고 있습니다.기.. 2025. 8. 9. 이전 1 다음
